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NFORCE6M.分析报告

 一、General Information
Customer:讯宜
Complaint date:2010-06-7
Failed board received date:2010-06-07
Model: NFORCE6M-A V:3.0
Received Q`ty:1PCS
S/N :(V08301G91302151)
Complain symptom: 不加电(烧side MOS)
二、Root Cause Analysis:
1 从主板外观来看,PWM处PCB PAD已烧脱落

主板外观

2 用万用表量测VCORE供电部分确认为high side MOS SHORT。(如图2)
万用表量测VCORE供电部分

3 针对3颗high side MOS SHORT进行逐一排查最终确认为1颗MOS不良(DG两极击穿)。更换此high side MOS后阻抗正常。
4 用万用表量测,low side MOS同样SHORT
万用表量测,low side MOS同样SHORT
 
5针对3颗low side MOS SHORT进行逐一排查最终确认为1颗不良(DG两极击穿)。更换此low side MOS后阻抗正常。
low side MOS
6 从以上来看,结合PWM POWER原理做如下分析:
   PWM Power原理: 利用控制下图high, low side MOS 的 Duty circle. 来达成所要获得的Vout.( 其中 high side MOS 开, low side MOS 就关 )
 high side MOS 开, low side MOS 就关
Static Load
1、首先PWM controller会送出如下图的gate signal 去control 上下两颗MOS.
其中PWM会利用charge pump的方式使UGATE 电压位准为driver电压+ Vin. (这样才推的动high side MOS)
UGATE与LGATE 是互补的. (也就是一开一关). 但会有dead-time(两颗MOS同时off )的机制,以防止short-through(短路)的情况发生.
短路

2、此时PHASE点上的电压就会如下图所示.
PHASE点上的电压
而电感L上的电流则如下图(ripple current).
ripple current

三.Conclusion:
该机种在客户在使用上存在短路,原因是high side MOS未关闭而low side MOS已打开,此时PWM会利用charge pump的方式使UGATE 电压位准为driver电压+ Vin. (这样才推的动high side MOS),在low side MOS打开临间high side MOS承受两个电压而逼迫击穿,引发上述不良。(该板作无法维修,报废处理)。
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