前言：本文将就西部数据硬盘上使用的ROM芯片的读写问题进行阐述，由于M25P10 ROM芯片的使用量很大，我们将以此为例来作详细的说明。M25P10在完好状态下需要进行数据读写时可以直接进行板载读写操作，但是由于ROM读写控制程序本身就存储在ROM中，因而如果ROM中自身存储的数据发生损坏时将造成其读写程序损坏或不可用，因而板载读写操作也就无法再正常进行，因此就产生了需要将ROM焊接取下使用编程器进行ROM读写的操作。以下所述的需要焊接的ROM读写方式仅是在ROM数据损坏的情况下采用。 

    西部数据硬盘经常遇到需要将硬盘电路板上的ROM通过焊接取下并焊接到编程板上进行数据读写，然后再焊接取下并焊接到硬盘电路板上的操作，至此总共要进行4次焊接动作。客户在此项操作中会时常遇到由于多次焊接造成ROM芯片损坏的情况，因而向我们提出了一种新的ROM读写方法进行求证。

    以下是由客户提供的ROM读写连接方式图：将编程器直接使用导线同电路板上的ROM进行连接后，试图使用编程器直接进行数据读写。

    但是这种读写方式未能获得成功。

    以下我们将对其失败原因作详细解说：

    首先让我们先来了解一下西数产品上使用的M25P10 ROM芯片的基本结构。以下为意法半导体公司提供的M25P10芯片简图以及引脚功能介绍。

    根据客户提供的方法，由于ROM芯片还连接在电路板上，芯片的各个端口都还处在主控芯片及外围电路的控制和影响下，通过编程器向引脚发送信号时，信号将无法顺利输入到芯片引脚中。

    大家可以看到ROM芯片的（W）端口描述，该端口在低电平时，芯片为写保护状态。但是如上所述，由于芯片还连接在电路板上，该端口的电平无法被拉高，因而其W端口始终处于低电平状态，ROM无法进行写操作。

    由于同样的原因，我们可以看到这时由于S端口和HOLD端口同时处于低电平状态，HOLD功能作用，所有的串行通信将全部被阻止；此时，串行数据输出端（Q）处于高阻抗状态，串行数据输入端（D）和串行时钟端口（C）的信号都被忽略。
    此外，时钟端口（C）,数据输入端口（D）等的信号都将由于外部电路的影响而产品混乱，导致无法正常进行数据交换工作。
    由以上分析可以看出，当ROM仍处于电路板上时，对其进行任何读写操作都是无效的。
    为了减少客户在读写ROM时需要的焊接次数，以下，我们将介绍一种使用效率源西数工具进行ROM重写的简化方法供客户参考，以此来减少ROM焊接次数，同时也减小了ROM在焊接中损坏的风险。

    请看下图：

    在使用效率源工具进行ROM读写时，可以使用夹子将ROM牢牢固定在编程板上（这样就不需要将ROM焊接到编程板上），请保持ROM引脚与接触面清洁光滑以保证接触良好。

    注意：为避免发生短路，在使用夹子进行固定时，夹子与电路板的接触处要保持绝缘，最好不要使用金属夹。