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M2N当D4

 
M2N当D4
 
案例名称M2N当D4             日期2008-1-25
主板型号 S/N L1问题描述 用料情况 L2问题描述 信号 位置号
M2N 72M0AB136324 D4 CPU座 内存不过 D2_VREF_DIMMB D2R72

初始问题判断Chendys Chen
1:目视主板槽是否有损坏,主板的正反面有无断线.
2:量测SX2看有无32.768KHZ.PQ32的PIN:2 +3VSB电压.
3:上CPU,80卡,进行上电运行看80卡的代码[D4]
4:代码分析AMI BIOS D4 测试512KB基准内存. 调节策略和first8MB.设置堆栈.起始区码从ROM拷贝至较低系 统内存,控制起始区码. BIOS现在在RAM外执行.属于内存问题.

维修流程
目视
目视主板DDR槽是否有损坏,到NC的正反面有无短线.
内存电压
1,量测PL6的PIN:2是否有1.8V_DUAL输出
2,PU10的PIN:5是否有0.9 V输出(VTT_DDR).
内存频率
以上量测没有发现问题,接下来量测DDR的频率,DDR量测C_MA0_H0 C_MA0_H1 C_MA0_H2 C_MA0_L0 C_MA0_L1 C_MA0_L2等脚位.观察示波器的波形及频率.接下来量测DDR的数据地址线MA`MD和内存控制线RAS`CAS`WE等信号.要用万用表的二极值档来测

MA,MD,MC 
量其对地阻值.MD0~MD63的对地阻值应该是相同的(其误差应小于10欧姆), MA0~MA13的对地阻值应该是相同的(其误差应小于10欧姆),控制线的对地阻值规律也大致相同可参考OK板.(M2系列主板要插上CPU量测)

VTT_DDR,D2_VREF_DIMMB 
通常有一些主板的VTT_DDR电压输出电路的VREF和内存条上的DDR_VREF是同一个电路但也有一些主板是不同的,电路不同时要对VTT_DDR 的VREF和DDR_VREF分别测量.用示波器探针测量DIMM_A0的PIN:1 D2_VREF_DIMMB(该信号的电压应和VTT_DDR的电平一样为0.9V),量测过程中发现D2_VREF_DIMMB的电平只有0.1V低于正常值.D2_VREF_DIMMB的电平是由
1.8V_DUAL经D2R71和D2R72分压所得,用万用表测量D2R71和D2R72的阻值(两个阻值是一样的)量测过程中发现D2R71的阻值无穷大(正常49.9欧姆),确认D2R71损坏.更换D2R71后,重新上电运行OK.

 

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