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常用晶体管命名方法

更新时间:2016-02-01 10:15:05

二极管,三极管,场效应管
 
(日本,美国,三星)
1、日本晶体管命名方法

前面4部分的含义:2SA733
第一部分:数字
0:光电二极管或者三极管
1:二极管
2:三极管或者具有三个电极的管子
第二部分 :
S :在日本电子协会注册
第三部分
含义 :
A:高频PNP三极管
B:低频PNP三极管
C:高频NPN三极管 C945,C815
D:低频NPN三极管
F:P型可控硅
G:N型基极单结晶体管
K:N-MOSFET :K3986
J:P-MOSFET
M:双向可控硅
有些日产三极管受管面积较小的限制,为打印型号的方便,往往把型号的前两个部分2s省掉。如zsa733型三极管可简化为a733,2sd869可简写为d869,2sd903型可简写成d903等。

2、美国晶体管命名方法

二极管 :IN4148
三极管:几个N级 :2n3906
MOSFET:电流-极性-耐压 8N60 ,11P09
 
1代表二极管:1n4148,1n4007,1n5408
2代表三极管:2n3906
凡是以1N,2N开头的是美国命名方法。

3、韩国三星电子

韩国三星电子公司产的三极管在我国电子产品中应用也很多,他是以四位数字表示管子的型号。常用的有9011-9018等儿种型号。
NPN:9011、9013、9014、9016、9018
PNP: 9012、9015
低频管: 9011、9013、9014, 9012、9015
高频管:9016、9018它们的特征频率f(t)都在5oomhz以上。
9012、9013型三极管为功放管,它的耗散功率为625mw。
 

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